Получайте оповещения

от PROPERM.RU в вашем браузере

Подписаться Нет, спасибо

Вконтакте

Facebook

Подписаться на рассылку

IBM разработала сверхбыструю компьютерную память

1 июля 2011, 17:28

IBM разработала сверхбыструю компьютерную память
По прогнозам ученых, память на основе технологии Phase Change Memory в течении пяти лет вытеснит привычную Flash-память.

Ученые лаборатории IBM Research в Цюрихе удалось построить чипы с многоуровневой архитектурой на основе энергонезависимой памяти с фазовым переходом PCM. Принцип ее работы основан на свойстве материала находиться в двух стабильных фазовых состояниях, в одном из которых вещество является кристаллическим проводником, а в другой — непроводящим аморфным материалом.

При изменении фазового состояния, в ответ на приложение небольшого тока, производится переключение между нулем и единицей. Сознанные ранее образцы PCM могли сохранять один бит информации на ячейку, в новой разработке IBM в каждой ячейке хранится двухразрядное сочетание битов 00, 01, 10 или 11- сообщает Компьютерное Обозрение.

Образец нового чипа произведен по 90-нм CMOS-технологии, включает 200 тыс. ячеек, имеет время задержки для записи около 10 мкс, что в 100 раз лучше, чем у современной NAND-памяти. Чип выдерживает по меньшей мере 10 млн циклов перезаписи , тогда как флеш-память — от 3 до 30 тысяч.

Использование многоуровневых ячеек крайне важно с экономической точки зрения — пока фазовая память стоит дорого и вряд ли существенно подешевеет в течение ближайших лет. Повышение плотности записи помогает сократить производственные расходы и снизить стоимость.

По мнению ученых, новая разработка IBM делает возможным создание PCM-памяти высокой плотности, которые в перспективе заменят используемые сейчас типы флеш-памяти. Переход на новую технологию в промышленных системах хранения данных прогнозируется в течение ближайших 5 лет.